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芯片基材晶圓硅片應(yīng)該如何測(cè)量？平面度以及厚度皆有方案|?？扑甲詣?dòng)化

文章出處：網(wǎng)責(zé)任編輯：作者：人氣：-發(fā)表時(shí)間：2022-11-22 23:06:00

晶圓、硅片作為芯片的基材一直都廣受關(guān)注，自5G時(shí)代開(kāi)始以來(lái)研發(fā)芯片都是我國(guó)的重點(diǎn)之一，晶圓需求也同步上漲更是成為了緊俏品，這與晶圓高精度外觀要求息息相關(guān)。晶圓制備方法是硅錠切割再加工，切割技術(shù)、設(shè)備磨損、硅錠材料等因素都會(huì)影響切割后的晶圓外觀尺寸，加上晶圓表面光潔度的嚴(yán)格要求，到底什么設(shè)備才能適用于晶圓的平面度、厚度、外觀尺寸的測(cè)量呢？

晶圓切割時(shí)切割線的緊力與切割角度等各項(xiàng)環(huán)境因素都會(huì)致使晶圓平面度不足，晶圓片的平面度不均就會(huì)影響光刻膠各面積的受熱程度，終會(huì)導(dǎo)致晶圓蝕刻CDuniformity均勻度不足。?？扑?/font>激光平面度測(cè)量?jī)x通過(guò)高精度激光對(duì)晶圓表面進(jìn)行線掃描或者點(diǎn)掃描，然后再一次性數(shù)據(jù)采集后通過(guò)的平整度軟件計(jì)算，可以在屏幕上直接看到晶圓的平整度、平面度、翹曲度等誤差測(cè)量判定數(shù)據(jù)，并給出OK/NG的結(jié)果，省去了大量的人工成本以及計(jì)算時(shí)間。

晶圓經(jīng)過(guò)蝕刻、打磨后都需要高精度測(cè)量厚度，晶圓厚度符合與否影響著后續(xù)的運(yùn)輸、封裝等工序，晶圓太厚會(huì)致使劃片刀快速磨損、厚度太薄會(huì)使晶圓在移動(dòng)和制備的過(guò)程中發(fā)生崩角、斷裂，加上散熱、電阻率等因素致使晶圓厚度嚴(yán)格遵守設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。上下激光厚度測(cè)量?jī)x采用上下兩套進(jìn)口激光測(cè)量系統(tǒng)，非接觸式測(cè)量方法，防止刮傷產(chǎn)品，可單點(diǎn)測(cè)量，也可以多點(diǎn)測(cè)量，并通過(guò)測(cè)量軟件保存測(cè)量數(shù)據(jù)，可以設(shè)定產(chǎn)品的公差，不合格產(chǎn)品顯示出來(lái)快速完成晶圓厚度測(cè)量。