硅片翹曲度測量的重要性是因為經過一系列不太友好的摩擦之后，我國各企業(yè)都明白芯片以及各類電子器件有多重要，只有自身擁有相關工藝技術才能不被妨礙到自我發(fā)展。硅片作為道技術壁壘，現在的規(guī)模以及標準都是往日不可比的，但在擴散、氧化一系列的高溫工藝之后，硅片的翹曲以及彎曲現象都會比較嚴重。這對光刻等后續(xù)工藝造成非常難操作的困境，器件成品率和性能會受到很大的影響。

硅晶體在710℃左右的半熔點以上就會產生塑性形變，硅片制作的一系列高溫工藝通常都在1200℃~1250℃的范圍之內，升溫和降溫的過程中熱應力或者其他機械應力都會引起硅片翹曲、彎曲，所以硅片高溫工藝之后的翹曲度應該怎么測量？

海科思的硅片翹曲度激光測量儀測量精度達到了μm級，通過激光探頭的點掃描模式或者線掃描模式進行硅片翹曲度的快速無損測量，起到快速、高精度還不損傷硅片的作用。平面度翹曲度測量儀具有開放式工作臺設計，方便取放硅片，也方便搭配自動化上下料系統。操作方便簡單，不需要的培訓就能輕松上手，大大降低了眾硅片企業(yè)的人工成本。

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